FinFET( 鳍式场效应晶体管）是目前晶片合同行业的一项出色的核心技术。台积电甚至打算将它一直应用到 3nm 时代。

然而，三星在过去四年中一直深陷于 FinFET 专利侵权的泥潭，直到最近才被关闭。

诉讼原告是韩国科学技术学院（KAIST)，该学院于 2001 年在美国和韩国申请了与 FinFET 技术相关的专利，该专利是由韩国科学技术研究院与首尔大学教授李钟浩合作开发的。

2016 年 11 月 29 日，韩国科学技术学院对德克萨斯州的三星、高通和 Gexin(GlobalFounderies) 提起了 FinFET 专利侵权诉讼。据说英特尔支付了相关的 "保护费"。

2018 年 6 月和 2019 年 2 月，KAIST 两次起诉三星，声称其 7nm、8nm、10 nm、11 nm 和 14 nm 的应用程序处理器都是侵权行为，并要求赔偿 4 亿美元。今年 2 月，法院下令三星支付 2 亿美元的赔偿。

目前，案件已经结案，和解的细节尚不清楚。